Номер детали производителя : | S4J M6G | Статус RoHS : | |
---|---|---|---|
Изготовитель / Производитель : | TSC (Taiwan Semiconductor) | Состояние на складе : | - |
Описание : | DIODE GEN PURP 600V 4A DO214AB | Доставить из : | Гонконг |
Спецификация : | S4J M6G(1).pdfS4J M6G(2).pdfS4J M6G(3).pdf | Путь отгрузки : | DHL/Fedex/TNT/UPS/EMS |
Часть № | S4J M6G |
---|---|
производитель | TSC (Taiwan Semiconductor) |
Описание | DIODE GEN PURP 600V 4A DO214AB |
Статус бесплатного свидания / Статус RoHS | |
Кол-во в наличии | В наличии |
Спецификация | S4J M6G(1).pdfS4J M6G(2).pdfS4J M6G(3).pdf |
Напряжение - Forward (Vf) (Макс) @ Если | 1.15 V @ 4 A |
Напряжение питания - DC Reverse (Vr) (Макс) | 600 V |
Технологии | Standard |
Поставщик Упаковка устройства | DO-214AB (SMC) |
скорость | Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io) |
Серии | - |
Обратное время восстановления (ТИР) | 1.5 µs |
Упаковка / | DO-214AB, SMC |
Упаковка | Tape & Reel (TR) |
Рабочая температура - Соединение | -55°C ~ 150°C |
Тип установки | Surface Mount |
Ток - Обратный утечки @ Vr | 100 µA @ 600 V |
Текущий - средний выпрямленный (Io) | 4A |
Емкостной @ В.Р., F | 60pF @ 4V, 1MHz |
Базовый номер продукта | S4J |
DIODE GEN PURP 600V 4A DO214AB
DIODE GEN PURP 600V 4A DO214AB
DIODE GEN PURP 600V 4A DO214AB
4A, 600V, STANDARD RECOVERY RECT
DIODE GEN PURP 400V 2A GP20
DIODE GEN PURP 600V 4A DO214AB
DIODE GEN PURP 600V 4A DO214AB
DIODE GEN PURP 600V 4A DO214AB
DIODE GEN PURP 600V 4A DO214AB
DIODE GEN PURP 600V 4A DO214AB